首家薄膜铌酸锂光芯片量产代工线推出PDK,赋能商用化Fabless模式
2026-03-20
国内首家薄膜铌酸锂光芯片量产代工线MEMSRIGHT(MRT)正式推出PDK,以Foundry代工与Fabless设计的产业模式,加速薄膜铌酸产品研发迭代并打破良率低谷。该模式将实现从技术验证向规模量产的真正跨越,成为薄膜铌酸锂发展核心引擎和必然路径。
2026年,AI算力产业将迎来第三次投资浪潮,多模态模型训练需求或将成为主要推动力,以Openclaw为代表的Agentic AI(代理式智能体)将AI算力推向新高峰。这意味着AI算力连接基础设施迫切需要更高效率的光互连传输技术,如今1.6T正在起量且3.2T已进入市场视野,而光通信产业还面临着技术材料与产业模式的双重变革。在这条技术路径的发展道路上,磷化铟(InP)瓶颈凸显,硅光(SiPh)触及带宽天花板,薄膜铌酸锂(TFLN)凭借其低功耗、高带宽成为光子芯片领域的新风口。
然而,这个新型领域究竟适合走光通信磷化铟/砷化镓IDM模式,还是走微电子CMOS平台Fabless+Foundry半导体产业分工模式,两种模式正在经受市场验证,唯有提前布局实践方能走出真知。对此,讯石光通讯网近日走进MEMSRIGHT(苏州工业园区纳米产业技术研究院,以下简称“MRT”),对话薄膜铌酸锂领域国内首家量产代工Foundry和薄膜铌酸锂Fabless领先者南里台科技,了解他们在薄膜铌酸锂领域的战略布局和分工协作,如何成功证明Fabless设计+Foundry代工是光通信应用薄膜铌酸锂产业商业化发展的必然路径。
十一年深耕:打造国内顶尖 MEMS中试量产底座
MRT是国内领先的商业化MEMS中试量产平台,隶属于国资公司苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,位于苏州纳米城。作为MEMS中试量产服务平台,MRT的发展轨迹正是国内微机电系统(MEMS)产业国产化的生动缩影。平台于2011年成立,2014年正式通线,至今已深耕行业11年,是国内为数不多的成熟商业化MEMS中试量产平台。
十一年间,MRT的产业积淀持续夯实:累计服务企业超130家,成功通线产品突破500颗,客户覆盖全国18个省份;在MEMS产品领域,形成传感器、执行器两大核心品类,麦克风、压力、XMR、微镜、喷墨头等产品均实现万片级出货。MRT现拥有3000平方米洁净室、超200台半导体先进设备,6-8英寸MEMS产线规划年产能6万片(月产5000片),实际年出货量30000余片,同时拥有IATF16949车用认证,具备车规级产品的量产能力,为跨领域拓展奠定了坚实的硬件与工艺基础。
战略布局:从MEMS到薄膜铌酸锂,锚定光通信赛道
在薄膜铌酸锂成为全球光通信领域焦点的当下,MRT并未止步于MEMS领域,而是顺势布局,成为国内率先切入薄膜铌酸锂代工的量产平台,其核心布局直指光通信领域。为此,MRT在复用现有MEMS产线基础上,引入一系列薄膜铌酸锂专用设备,新建了洁净室2000平方米,并做了大量的技术准备和产品流片验证。
为何选择聚焦光通信领域?核心在于技术共性与市场前景的双重考量。MRT研发经理史云涛表示,选择薄膜铌酸锂是看中该赛道与现有平台的工艺匹配、市场前景和技术复用三个核心因素。
薄膜铌酸锂专业机台
● 工艺高度契合:薄膜铌酸锂LNOI晶圆与MEMS行业常用的SOI晶圆结构相近,仅顶层材料为铌酸锂,无需额外沉积膜层,现有MEMS产线经过部分改造即可适配使用,且铌酸锂材料热稳定性优异(可耐300-400℃高温),与磷化铟和砷化镓化合物半导体外延生长工艺形成鲜明对比;
● 技术复用积累:MRT具备500余颗成功产品的流片经验,沉淀了大量通用工艺模块,可直接套用在薄膜铌酸锂芯片加工中,大幅缩短客户交期、控制成本。
目前,MRT已在薄膜铌酸锂光通信芯片领域完成十数款产品开发、数十轮流片,成为国内薄膜铌酸锂代工领域的领先者。
工艺突破:传输损耗0.2dB/cm,跻身行业顶尖水平
任何半导体材料都要以商用落地为目标,而薄膜铌酸锂的商业化,其核心在于工艺量产能力,波导传输损耗是衡量工艺水平的关键指标。MRT王辉介绍,通过与南里台科技的紧密合作,目前波导传输损耗从2023年下半年的1.0-2.0dB/cm,逐步降至2025年下半年的典型值0.2dB/cm,最优值0.05dB/cm,跻身全球行业顶尖水平。这一突破并非偶然,而是源于工艺、测试、条件的全方位优化,例如光刻条件的调整、刻蚀程式的优化、退火模式的创新,以及对机台、制程、人员、衬底波动的精准把控,找到最佳工艺窗口与平衡点。
薄膜铌酸锂晶圆
更重要的是,这一指标并非实验室 “孤品”,而是具备规模化量产的可重复性:近5款不同产品,均稳定实现0.2dB/cm的传输损耗,验证了平台的量产能力。同时,MRT采用80% PDK+20%客户定制的灵活模式,在行业标准化尚未完善的阶段,既保障了工艺的稳定性,又为客户预留了差异化创新空间。
晶圆级测试
作为量产代工线Foundry,MRT与薄膜铌酸锂芯片设计厂商南里台科技进行了深度合作,MRT工艺平台为其芯片产品提供了高效的流片验证,支持南里台科技对产品持续改版优化。南里台科技项目总监于淑慧表示,专业Foundry对流片问题的反馈会更加精确,可以极大地帮助Fabless厂商分析和解决问题。同样,南里台对芯片设计、技术与市场的精准把握也帮助MRT更深入理解该领域客户需求和核心工艺。基于双方的深度协同,实现了工艺水平不断提升,MRT率先成为国内稳定实现低损耗量产的平台。
晶圆级测试
模式对比:Fabless+Foundry,薄膜铌酸锂产业的更优解
硅光、磷化铟和薄膜铌酸锂是光通信收发器件应用的半导体芯片三种主要材料,该领域IDM(垂直整合)与 Fabless+Foundry(设计+代工)是两种主流模式,其中磷化铟和砷化镓采用IDM模塑造产品竞争力已是行业共识,而硅基光电子(硅光子)通过兼容CMOS工艺PIC(光子集成电路)制造,遵循Fabless+Foundry模式成为市场主流。这两种产业模式最具代表性产品方案:电吸收调制激光器(EML)和基于光子集成芯片(PIC)调制器+CW光源正在大量应用于高速光模块中。但是,随着光通信产业技术从400G、800G和1.6Tbps向更下一代3.2Tbps演进,磷化铟和硅光材料调制带宽能力都遭遇难度极大的瓶颈限制,被誉为“光学硅”的铌酸锂材料则在近年里实现了显著的集成化突破,其具备高带宽、低驱动电压、插损小、消光比优异、线性度出色、结构紧凑等技术优势,性能参数体系高度契合数据中心和AI集群场景下的3.2T可插拔光模块及CPO封装需求。
MRT晶圆量产
因此,薄膜铌酸锂必然将在下一代3.2T光通信速率时代发挥重要价值。但是,什么样的产业模式可以实现薄膜铌酸锂产业商用落地?MRT相信专业Foundry代工制造可以为这产业找到一个满足规模量产的商业路线。相比于IDM模式,Fabless+Foundry的产业分工模式,具备更显著的市场竞争力和未来发展潜力,这一判断源于对行业现状、技术特性与产业规律的深度洞察,包括产业门槛、技术风险、材料工艺和规模效应等角度。
MRT光刻车间
● 降低行业准入门槛,适配初创企业特性:光通信领域多为初创企业,资金实力有限,而 IDM 模式需要动辄数十亿、上百亿的固定资本投入,且后期运营成本高昂,Foundry 模式让设计企业无需承担建厂成本,聚焦核心设计能力;
● 规避技术路线风险:光通信领域技术路线多元(硅光、铌酸锂、磷化铟等),IDM 模式的大额固定资产投入易受技术路线迭代影响,而 Foundry 模式可灵活适配不同技术路线,应对市场变化;
● 发挥规模效应,控制成本:MRT的通用设备与工艺模块,可服务多家设计企业,实现规模效应,有效降低单产品加工成本,而 IDM 模式的产能利用率难以保障。
● 质量保证:MRT王辉还认为,MRT人员与工艺的稳定性是其作为Foundry代工平台的核心竞争力和独特价值。半导体设备可通过全球采购得来,但核心竞争力在于人:MRT平台核心技术人员均拥有15年以上晶圆厂工作经验,兼具IC与MEMS领域的工艺积累,这是量产稳定性的关键。
MRT光刻车间
产业开放:量产能力位居行业前列 即将推出专业化MPW服务
作为MRT重点薄膜铌酸锂客户,南里台科技于淑慧明确指出,良率和工艺量产能力是薄膜铌酸锂大规模商业化的核心。在AI算力驱动光通信升级的大背景下,薄膜铌酸锂的市场前景已无悬念,量产的突破才是产业发展的核心抓手。
南里台开发的TFLN调制器芯片
于淑慧表示,南里台科技今年即将完成通信领域典型客户的芯片验证,成功进入光通信产业链。2026年将是薄膜铌酸锂在通信行业的正式商用元年,南里台作为Fabless厂商正与MRT紧密推进薄膜铌酸锂芯片的量产准备。MRT量产平台出色的制造基础设施、多颗产品批量出货记录以及核心团队在头部代工厂商十数年经验积累,都将加速量产进度,比IDM厂商更早跨越良率低谷。
MRT与南里台科技的合作正是量产能力突破的典型案例:双方紧密协作,完成数十轮流片,实现产品多轮迭代,目前已完成客户验证,样品性能稳定,成为国内 接近量产的薄膜铌酸锂代工及芯片厂商。这种“设计+代工”的协同模式,让设计端以平均工艺水平迭代,而非实验室最佳条件,确保了设计方案与量产能力的高度匹配。
MRT专业设备
为降低薄膜铌酸锂产业门槛,基于验证成功的工艺平台,MRT将于2026年4月正式推出MPW(多项目晶圆),包括划片、端面抛光、测试和键合打线等后段工艺服务,为光通信芯片初创企业、科研团队芯片项目提供薄膜铌酸锂专业化流片代工服务。这种服务一方面帮助客户分摊高昂的掩膜和制造成本,另一方面帮助客户缩短研发产品验证周期。事实上,MPW服务高度考验代工平台的工艺水平,这里体现了MRT对自己工艺成熟度的高度自信。
观点总结:Fabless设计+Foundry代工是薄膜铌酸锂商用化的必然路径
从InP、硅光到薄膜铌酸锂,光通信光芯片材料迭代始终伴随商业模式优化。作为全球同一起跑线赛道,薄膜铌酸锂为中国企业国产替代、抢占全球市场提供机遇。MRT与南里台的实践合作验证了Fabless+Foundry分工模式契合薄膜铌酸锂产品特性、适配国内产业现状,能凝聚产业合力。未来,随着MRT铌酸锂光芯片PDK推出及行业协同发力,薄膜铌酸锂将加速从技术验证走向规模量产,该分工模式将成为行业发展核心引擎和必然路径,助力光通信开启全新周期。
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