国家第三代半导体技术创新中心（苏州）第一届理事会第三次会议顺利召开

2025-10-24

近日，国家第三代半导体技术创新中心（苏州），第一届理事会第三次会议顺利召开。

中国科学院院士、国创中心（苏州）主任郝跃，中国科学院院士江风益，园区党工委委员、管委会副主任倪乾以及园区科创委、财政审计局、江苏第三代半导体研究院、三微电子、纳米公司相关负责人出席会议。

倪乾指出，要聚焦“十五五”期间重点布局的细分方向，进一步集聚各类创新资源，充分发挥苏州平台的技术转化优势和园区良好的产业生态基础，深化与产业链上下游创新企业、高校院所的紧密协同，吸引和培育更多具有高成长性和产业化潜力的优质项目落地生根，壮大具有核心竞争力的创新企业集群，园区相关部门也将继续给予强有力的支持，强化各共建单位和相关部门协同联动，全力做好服务保障工作。

江风益表示，目前国创中心（苏州）已构建起一个富有活力、初具规模的内部生态，并在人才队伍、技术积累等方面取得了扎实的建树。未来要进一步梳理重点研究方向，集中资源开展关键核心技术攻关，推动我国第三代半导体产业高质量发展。

郝跃强调，国创中心（苏州）要持续推进“国产化装备联盟”等一系列创新举措，加快突破关键瓶颈、构建自主可控产业链；要将科技创新成果切实转化为推动产业升级与经济增长的强大动能；要持续发挥示范引领作用，为全国半导体产业的技术突围与高质量发展提供创新经验。