国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目取得阶段性成果

2022-09-22

近日，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目取得阶段性建设成果，产业化基地工程基坑土方开挖全部完成，底板混凝土浇筑完成100%；企业总部工程基础底板混凝土浇筑施工完成80%，地下室顶板混凝土浇筑施工完成80%。

今年年初开工建设以来，工程建设团队主动出击，迎难而上，在施工现场，工人们抢抓进度不停歇，一派热火朝天的景象；在项目推进会场，项目各建设方激烈讨论，不等不拖，力求工程顺利推进。现场变化的每一处都凝结着工人们的汗水，工程推进的每1%都融入了建设者的智慧。

产业化基地工程总建筑面积11.7万平方米，地上由1-4号楼车间、5号楼动力站、7号楼供氢站、8-9号楼甲类库、110KV变电所10个单体组成。目前该项目桩基、围护、土方开挖外运已全部完成；基础底板施工完成100%。

产业化基地工程俯视效果图

产业化基地项目——企业总部工程总建筑面积约9.2万平米，包含四栋主楼及一层地下室。目前该项目，桩基、围护、土方开挖外运已全部完成，基础底板施工完成。西北侧地库顶板浇筑完成；西南侧、东侧及周边地库顶板施工。

企业总部工程效果图

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地于2022年1月14日开工，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，包括国家第三代半导体技术创新中心，以及汉天下研发中心、东微半导体总部和镭明激光总部等部分定建企业，将布局建设符合第三代半导体创新的3万平方米高标准洁净厂房以及配套设施，8英寸BAW（体声波）滤波器及射频模组生产线，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心，建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、生产、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50—100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。