知名资本入手晶湛，看好园区第三代半导体产业！

2022-04-26

近日，园区第三代半导体领军企业苏州晶湛半导体有限公司宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份002241.SZ 控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。融资将主要用于晶湛半导体总部和研发中心建设，项目达产后晶湛半导体将建成国际一流、国内首屈一指的氮化镓电力电子、射频电子以及微显示材料研发生产基地，推动晶湛半导体进入新的发展阶段。

据了解，晶湛半导体总部及研发中心去年12月在苏州纳米城奠基，厂房占地面积超10000平方米，总建筑面积超2.34万平方米，将为园区第三代半导体产业发展注入强大动能。

晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓外延技术开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，是苏州纳米城第一批入驻企业，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子、射频电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，是目前国际上唯一可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商，技术实力处于国际领先地位。

作为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，晶湛半导体在氮化镓外延领域掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权。2014年底，晶湛半导体在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白；2021年9月，晶湛半导体率先成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术，将GaN的卓越特性和CMOS兼容加工线的生产优势结合在一起，使GaN-on-Si功率器件具有优异的性能和可靠性，获得国际半导体界的广泛关注和一致好评。

目前晶湛半导体在国内外累计申请近400项专利，其中已获得超100项专利授权；与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立了广泛深入的合作关系，并多次在行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及国际顶级会议IEDM等发布相关创新成果，国际影响力和竞争力不断提升。

近年来，在国家“十四五”规划、“碳达峰碳中和”等重磅利好政策的指导下，在移动手机快充、新能源汽车、下一代移动通信和新型显示等市场创新应用的持续推动下，以氮化镓为代表的第三代半导体产业迎来了高速发展的历史机遇期。

作为园区发展第三代半导体产业的“主阵地”，苏州纳米城多年来始终聚焦国家战略需要，全力构建产业创新生态，在上游衬底及外延材料、中游芯片器件、下游封装测试及集成应用等领域，培育了纳维科技、晶湛半导体、汉天下、东微半导体、镭明激光等一批领军企业；在射频微波、功率器件、新型显示等细分领域形成了先发优势；涌现出一批重大创新成果，部分关键核心技术在国际上处于并跑、甚至领跑状态。

2021年以来，汉天下、度亘激光总部相继在纳米城投用，纳维、晶湛总部大楼以及三代半国创中心研发与产业化基地先后在纳米城开工，东微半导体成功在科创板上市，持续加码的创新资源为园区第三代半导体产业发展奠定了坚实基础。

接下来，苏州纳米城将以国创中心为抓手，更大力度引育第三代半导体高端项目，进一步提升第三代半导体企业服务能力，持续促进第三代半导体产业链上下游合作，培育壮大以晶湛半导体等为代表的一批领军企业成为行业标杆，全力推动园区第三代半导体产业高质量发展。