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纳米城5个项目入选市重点产业技术创新拟立项项目

以创新求突破,以科技促发展。近日,苏州市科技局公示2021年度苏州市重点产业技术创新拟立项项目,苏州纳米城5个项目获评关键核心技术研发拟立项项目,苏州工业园区共40个项目入选该类别。
名单如下
项目名称 承担单位 第三代超级结功率器件研发 苏州东微半导体股份有限公司 半绝缘氮化镓单晶衬底产业化关键技术开发与应用 苏州纳维科技有限公司 应用于5G移动通信等射频器件的碳化硅衬底氮化镓外延材料的研发 苏州晶湛半导体有限公司 全自动硅晶圆激光切割设备研发 苏州镭明激光科技有限公司 高载量耐碱亲和层析介质研发 苏州纳微科技股份有限公司
东微半导体专注于高性能功率器件的研发与销售,在半导体功率器件领域拥有强大的自主研发能力,形成了多项核心技术与专利,并成功应用于功率器件产品之中,推动了创新技术的产业化。目前公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。同时,公司已开发了超级硅 MOSFET及TGBT等先进功率器件产品。依托公司在功率器件领域多年的研发及技术积累,当前东微半导体正致力于第三代超级结 MOSFET等产品的设计及工艺技术提升。
纳维科技致力于第三代半导体核心关键材料—氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,经过多年攻关,完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发,率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,是目前国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业,产品性能综合指标国际领先。
晶湛半导体致力于第三代半导体关键材料—氮化镓(GaN)外延材料的研发和产业化,在氮化镓外延领域掌握多项核心技术, 拥有完全独立的自主知识产权,率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品,该材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能,填补了国内氮化镓产业的空白;今年公司成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术,将GaN的卓越特性和CMOS兼容加工线的生产优势结合在一起,使GaN-on-Si功率器件具有优异的性能和可靠性。
镭明激光致力研发、生产和销售各类工业应用超精密激光设备,公司拥有激光开槽和激光隐切两大核心技术,通过自研核心激光隐切模组,构筑了较高的技术壁垒,推出的LFL-AB120012寸晶圆激光开槽机和LFL-IC120012寸晶圆激光隐形切割机等产品,打破了国外行业龙头公司的垄断,破解了我国核心技术“卡脖子”现象。当前公司还在研激光解键合机、激光钻孔等设备,积极布局高端先进封装测试领域。
纳微科技专注于高性能纳米微球的制备和应用技术研究,通过多年的跨领域研发创新、技术进步与产品积累,建立了全面的微球精准制备技术研发、应用和产业化体系,自主研发了多项核心专有技术,是目前世界上少数几家可以同时规模化制备无机和有机高性能纳米微球材料的公司之一,打破了国外领先企业长期以来的技术和产品垄断,加快了高性能色谱填料和间隔物微球的国产化速度。今年上半年,纳微科技开发出与进口同类产品性能相当的混合模式离子交换层析介质、胰岛素专用高性能反相硅胶色谱填料和离子交换层析介质产品,并实现稳定大批量供货。高载量Protein A亲和层析介质已完成中试,并稳定放大生产多批次。
一直以来,园区坚定不移把科技创新摆在发展全局的核心位置,坚定不移推进以科技创新为核心的全面创新。苏州纳米城作为目前全球最大的纳米技术应用产业综合社区,是园区发展纳米技术应用产业的核心载体,累计落户和孵化企业达450个,引进各类人才近300人,培育上市企业2家,创新链、产业链、价值链交织融合,形成了微纳制造、第三代半导体、纳米新材料等三大企业集群,构建了完善的纳米技术应用产业生态圈,涌现了一批细分领域的领军企业,突破了一批重大领先的技术产品。苏州纳米城将始终坚持创新驱动发展,持续强化载体平台、政策服务等创新要素保障,夯实企业创新主体地位,全力构建企业创新创业的良好生态,为实现企业技术创新助推产业飞跃发展提供有力保障。