东微半导体是园区第三代半导体产业的中坚力量，自2008年成立至今，专注于半导体核心器件领域技术创新和产业化拥有多项开拓性技术和创新产品。

• 东微半导体制造出世界上首个半浮栅晶体管，可用于新型存储器，感光器件及功率器件等应用。2013年，半浮栅器件技术论文在美国《科学》期刊上正式发表，并在8月9日被新闻联播头条长篇报道；

• 创新产品GreenMOS系列是新能源汽车直流充电桩的核心器件，采用独特专利器件结构和制造工艺，与常规MOSFET产品相比，有高效率、低温升、“快而不震”等优势；

• 原创结构的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点；

• 东微半导体的创新型IGBT进入量产，性能达到国际一流水平；

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作为一家自主创新的技术驱动型企业，东微半导体向来重视知识产权保护工作，曾荣获2019年度园区知识产权创造奖，2020年，东微半导体入选企业知识产权登峰行动计划项目实施企业，依托“登峰行动计划”专利大数据资源，进一步扫除创新发展中的知识产权障碍和风险。

知识产权问题在企业上市过程中的“存在感”越来越强，东微半导体正处在冲刺科创板的关键时期，积极布局知识产权工作，定会进一步加持助力上市之路。