晶湛公布200毫米硅衬底上

2021-01-11

中国半导体专家苏州晶湛半导体有限公司通过利用AIXTRON 爱思强反应器，成功在200 毫米的硅基（硅基氮化镓）上生产高压氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）结构材料。

硅基氮化镓电源设备凭借其在功率器件的潜在应用，最近引起了学术界和业界的广泛关注。由于硅芯片上异质外延生长氮化镓技术存在缺陷干扰性，所以硅基氮化镓电源设备具有高缓冲漏电问题。最近，晶湛半导体在200 毫米的硅基上制造出高压氮化镓HEMT 材料，该材料具有良好的均匀性和低缓冲漏电性能，以及<0.5 %的理想厚度均匀性（不排除边缘区域）。在特殊条件下，可实现均匀值的进一步改善。

晶湛半导体的联合创始人Cheng Kai 博士表示：“大尺寸的硅基氮化镓已被公认为实现氮化镓电源设备大批量生产的最具成本效益的方法。然而，迄今为止，翘曲度大的晶圆加上高缓冲漏电妨碍了硅基氮化镓技术的进一步发展。我们对200 毫米硅基板的处理显示了低漏电的高击穿电压（低于1600 伏）氮化镓电源设备可在4 微米相对较薄的缓冲层实现。它们简化了生成过程，尽可能降低了晶圆的翘曲度，并能显著减少外延片成本。采用我们基于AIXTRON 爱思强系统的流程后，硅基氮化镓器件或许在不久之后就能实现更高压的性能。”

AIXTRON 爱思强电力电子项目副总裁Frank Wischmeyer 博士表示：“晶湛在实现优质缓冲层和材料性能方面所取得了显著成就，显示出我们的技术在高压氮化镓HEMT 应用上的实力。我们的MOCVD 技术可以实现大直径硅基板中宽带隙半导体的整合。AIXTRON 爱思强致力支持电力电子行业朝大量的200 毫米硅基氮化镓器件生产发展。”